1. 集成電路拋光液廢液主要來(lái)源

半導體業(yè)為我國重要的產(chǎn)業(yè)支柱，同時(shí)也是中美貿易戰爭奪的焦點(diǎn)產(chǎn)業(yè)之一，這樣發(fā)展的同時(shí)于制程中所需要的超純水純度將大幅提高，以及晶圓潔凈度也將被大為限制。半導體產(chǎn)業(yè)所產(chǎn)生的廢水大致可分為蝕刻廢水、光刻廢水、過(guò)濾清洗廢水、逆滲透廢水、離子交換樹(shù)脂廢水及化學(xué)機械研磨(Chemical MechanicalPolishing，CMP)廢水等等，CMP 程序所耗之用水量占了半導體工業(yè)的40%。

2. 集成電路拋光液基本原理

浙江新創(chuàng )納電子科技有限公司研發(fā)生產(chǎn)的集成電路拋光液，經(jīng)歷了多代升級，目前已經(jīng)用于多家半導體公司。IBM 公司最早研發(fā)出化學(xué)機械平坦化的全面性平坦，其在發(fā)展過(guò)程中，經(jīng)歷了多代升級，已變成高密度3nm-5nm半導體制程的標準化平坦技術(shù)。CMP 的原理主要分為化學(xué)性研磨與機械研磨兩部份，利用同時(shí)發(fā)生的化學(xué)反應與機械作用而達到平坦化目的的一種復合加工法。

集成電路拋光液的成份包含5~40%的納米微細研磨顆粒(abrasive particle) ，又稱(chēng)做磨料或者納米磨料，和其它的化學(xué)添加劑，這一些化學(xué)添加劑包刮：界面活性劑、pH 緩釋劑、粘度調整劑、螯合劑、氧化劑、穩定劑和分散劑等。

3. 集成電路拋光液廢液處理面臨重要考驗

集成電路產(chǎn)業(yè)已成為我國重要的產(chǎn)業(yè)支柱，同時(shí)也是中美貿易戰爭奪的焦點(diǎn)產(chǎn)業(yè)之一，尤其近年來(lái)隨著(zhù)高科技產(chǎn)業(yè)的蓬勃發(fā)展，琳瑯滿(mǎn)目的半導體高科技產(chǎn)品推出的同時(shí)也暗中意味著(zhù)生產(chǎn)制程背后所面臨的環(huán)境與水資源的課題面臨重要考驗。隨著(zhù)集成電路線(xiàn)寬越來(lái)越小，拋光液用量越來(lái)越大，其所產(chǎn)生的廢水問(wèn)題將成為繼拋光液開(kāi)發(fā)之后的又一個(gè)重要延申課題，迫切需要解決。